为落实《“十三五”广东省科技创新规划（2016-2020 年）》，根据《广东省重点领域研发计划实施方案》，围绕 国家重大战略、重大工程核心需求、我省战略性新兴产业发 展关键材料与技术支撑需要，结合国际新材料前沿技术发展 趋势，重点关注产业发展需求程度高的关键领域，启动实施“电子信息关键材料”重点专项。
本重点专项目标是：面向我省新一代信息技术等战略性 新兴产业对关键电子信息材料的迫切需求，强化重点领域关 键材料的自研自给能力，开展关键材料与核心器件攻关，全 力抢占若干电子信息材料的技术和产业战略制高点，逐步构 建电子信息材料支撑体系。
本专项按照芯片制造用光敏材料、芯片封装用陶瓷劈刀、高品质聚酰亚胺、半导体溅射靶材四个专题共部署 5个项目，每个项目支持1项，实施周期为3-4年。申报时项目研究内 容必须涵盖该专题/项目下所列的全部内容，项目完成时应完 成该专题/项目下所有考核指标。每个专题/项目参研单位总 数不得超过 10 个。除特别说明外，本专项要求企业牵头申 报，项目完成时项目成果需实现量产和销售。鼓励大企业联 合创新型中小企业、高校、科研院所等，产学研联合申报。
专题一：高端芯片减薄工序临时键合光敏材料及关键装备（专题编号：20190180）
研究内容：面向高端芯片/器件的高精度超薄晶圆级加工 需求，研发满足临时键合/解键合的光敏材料、关键设备及成 套工艺。主要研究内容如下：
（1）紫外激光响应材料的设计、配方优化及合成技术 开发；
（2）临时键合胶材料的配方设计及性能研究；
（3）整套临时键合材料的工艺开发和验证；
（4）紫外激光拆键合自动化设备的开发。
申报要求：本项目不限定牵头申报单位属性，但有产业 化目标，须不少于项目总投入50%的自筹经费。
支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 1500 万元。
专题二：IC 芯片封装用陶瓷劈刀材料及应用研究（专题 编号：20190181）
研究内容：
（1）高性能劈刀核心参数的研究与制造装备的开发 基于芯片封装用陶瓷劈刀型号和种类，研究劈刀关键尺 寸与键合力、抗压、抗弯以及抗锤击等的影响规律，开发高 性能劈刀制造设备。
（2）高性能劈刀原材料配方技术研究和开发 开发高性能陶瓷劈刀配方，研究成型技术及精细研磨加 工工艺；制备高强度、高硬度、高质量陶瓷劈刀。
（3）长寿命、低磨损劈刀端面掺杂技术开发 基于精细研磨加工工艺，研究不影响表面粗糙度、精度 以及焊接质量的掺杂方法，实现原有劈刀端面的降磨、自清 洗以及增寿。
考核指标：
（1）陶瓷粉体一次粒径≤80 nm；粒度 D50≤0.15 μm； BET≥(18±2) m2 /g；
（2）陶瓷劈刀性能指标：尺寸精度±1.5 μm；表面光洁 度 Ra≤0.1 μm，Rz≤0.8 μm；硬度≥1900 HV；抗弯强度≥600 MPa；
（3）劈刀刀头端面纳米硬度大于 22 GPa，焊点数≥200 万次（焊接工艺条件：超声电流 90-130 mA，焊接压力 25-60 g，焊接时间 15-30 ms）；
（4）实现量产并销售，新增产值 2 亿元以上；
（5）申请专利 10 件，围绕项目形成的创新成果发表高 水平论文。
支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 1500 万元。
专题三：高品质聚酰亚胺基材及应用研究（专题编号： 20190182）
项目 1：柔性显示用透明聚酰亚胺基材研发及应用
研究内容：
（1）研究面向柔性显示的耐高温、高透明衬底用聚酰 亚胺前驱体，包括聚酰亚胺化学结构、组分、工艺及性能的 相关性研究；开展聚酰亚胺薄膜的制备工艺研究；
（2）开展高透明性聚酰亚胺柔性盖板材料研究，包括 聚酰亚胺前驱体的化学结构设计、组分调控、制备工艺等， 以及聚酰亚胺薄膜的制备工艺技术；
（3）研究聚酰亚胺薄膜的表面特性及复合技术，以及 高透光柔性衬底-光电功能薄膜-金属导电电极-多层薄膜封 装的集成技术。瞄准彩色柔性显示的产业化应用，开展聚酰 亚胺柔性衬底、盖板与薄膜晶体管阵列和 OLED 或量子点、 电子纸等显示的集成技术研究，实现柔性显示的产业化应用。
考核指标：
（1）聚酰亚胺柔性衬底的考核指标：①20 μm 厚度下薄 膜的平均透光率≥88%，色度 b 值≤3，雾度≤0.8；②热膨胀系 数≤15 ppm/℃@100-200 ℃；③抗拉强度>300 MPa；④可涂 布印刷制备薄膜；⑤黄变指数＜4.5；⑥玻璃化转变温度＞ 400 ℃。
（2）聚酰亚胺柔性盖板的考核指标：①20 μm 厚度薄膜 的平均透光率≥90%，色度 b 值≤3，雾度≤0.8；②热膨胀系数 ≤15 ppm/℃@100-200 ℃；③抗拉强度>310 MPa；④可耐受 反复折叠 100,000 次以上（最小半径 1 mm）；⑤黄变指数＜ 0.6；⑥玻璃化转变温度＞330 ℃。
（3）高透明聚酰亚胺材料实现稳定的批量化生产（飞 行抽检，良品率>85%）并销售。聚酰亚胺柔性衬底、盖板应 用于分辨率不低于 300ppi 彩色柔性显示屏。
（4）申请发明专利10 件以上，围绕项目形成的创新成 果发表高水平论文。
（5）项目成果材料和设备在广东实现量产，实现新增 产值 1 亿元以上。
支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 2000 万元。
项目 2：聚酰亚胺基无胶覆铜板基材产业化及应用
研究内容：
（1）开发高品质聚酰亚胺前驱体，包括单体、填料、多层结构的设计及制备；
（2）研究聚酰亚胺组分、结构、工艺与性能的相关性；
（3）进行纳米分散、填充制胶、悬浮涂布线、亚胺化 设备的开发及验证；
（4）开展高品质聚酰亚胺的表面改性技术、复合技术 的开发及工程化验证；
（5）研究聚酰亚胺高端柔性覆铜板稳定化生产技术，并在新一代信息技术领域的典型应用（场景）中进行验证。
考核指标：
（1）Dk/Df (15 GHz) ≤3.2/0.003，插入损耗（15 GHz） <-2 dB/10 cm，剥离强度≥0.7N/mm （铜箔厚度不超过 12 微米）；
（2）吸水率（E-1/105+D-24/23）≤0.5%；
（3）耐浸焊性 340 ℃、30 Sec 不分层不起泡；蚀后卷 曲度≤1.0%；
（4）热膨胀系数（蚀后，RT-250 ℃）≤25 ppm/K；尺 寸稳定性（E-0.5/150）≤±0.05%；
（5）燃烧性 UL94 V-0；耐折性（无压膜，R=0.38 mm， n=175 r/min，G=500 g）≥150 次；耐化学性（剥离强度保持 率）≥90%；
（6）表面电阻（湿热）≥1.0E+05 MΩ；体积电阻率（湿 热）≥1.0E+06 MΩ·cm；电气强度≥80 kV/mm；
（7）在手机天线、传输线，高速连接器（USB3.1）等 开展验证，项目结题时销售量超过 20 万平方米；
（8）实现稳定化量产（飞行抽检，良品率>85%）并销 售，实现新增产值 2 亿元以上；
（9）申请发明专利 10 件以上，围绕项目形成的创新成 果发表高水平论文。
支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 1500 万元。
专题四：薄膜晶体管用高迁移率氧化物半导体溅射靶材研究及应用（专题编号：20190183）
研究内容：开发 TFT 基板用具有自主知识产权的高迁移 率金属氧化物有源半导体材料，研究高品质金属氧化物原料 制备技术，开发高世代金属氧化物靶材制备技术、配套的薄 膜制备技术、金属氧化物 TFT 制备工艺等，研究可用于 8.5 代生产线及以上的生产工艺及与 OLED 显示的集成工艺。鼓励采用自主技术的国产化设备研制靶材。
考核指标：
（1）靶材材料纯度>99.99%；相对密度在 99%以上；靶材平均晶粒尺寸<10µm；组分均匀性±0.5%；抗弯强度≥80MPa。
（2）金属氧化物半导体 TFT 器件迁移率>30 cm2 /(V·s)； 亚阈值摆幅 < 0.3 dec/V；开关比>109；
（3）光照稳定性：采用亮度为 10000 cd/m2的白光 LED 直接照射 TFT 器件沟道，阈值电压变化40 吨，实现新增产值 1 亿元以 上。 支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 2000 万元。
有什么不懂的问题可以咨询鼎智在线客服，深圳鼎智知识产权创始于2007年，12年知识产权成功经验，专注于深圳政府补贴项目、项目申报、高新认定、注册公司、注册香港公司、深圳专利申请、国外专利申请、集成电路布图、商标注册、代理记账、财税咨询等一站式财税服务和其他知识产权相关服务，鼎智知识产权助力企业扬帆起航、快速成长！欢迎大家前来咨询，鼎智将竭诚为您服务。
